Péptido es uno de esos temas donde los detalles importan más que los titulares. Esta página reúne los antecedentes, los mecanismos y los puntos prácticos que más se consultan.
Última revisión: 2026-04-18. Cuando una afirmación depende de un estudio concreto, se describe el estudio en lugar de exagerarlo.
Este enfoque también permitió a Nanomix fabricar el primer transistor en un sustrato flexible y transparente. Dado que el camino libre medio de los electrones en los SWCNT puede superar 1 micrómetro, los CNTFET de canal largo presentan características de transporte casi balísticas, lo que se traduce en altas velocidades. Se prevé que los dispositivos de CNT funcionen en frecuencias de cientos de gigahercios. Los nanotubos pueden crecer sobre nanopartículas de metal magnético (Fe, Co), lo que facilita la producción de dispositivos electrónicos (espintrónicos). En particular, se ha demostrado el control de la corriente a través de un transistor de efecto de campo mediante un campo magnético en una nanoestructura de tubo único.
Fuentes: es.wikipedia.org
==== Historia ==== En 2001, investigadores de IBM demostraron cómo se pueden destruir los nanotubos metálicos, dejando los nanotubos semiconductores para su uso como componentes. Utilizando la "destrucción constructiva", destruyeron nanotubos defectuosos en la oblea. Sin embargo, este proceso sólo permite controlar las propiedades eléctricas a escala estadística. En 2003 se publicaron unos transistores balísticos a temperatura ambiente con contactos metálicos óhmicos y un dieléctrico de alto kP, que generaban entre 20 y 30 veces más corriente que los Mosfet de silicio más avanzados. El paladio es un metal con una elevada función de trabajo que presenta contactos sin barrera Schottky con nanotubos semiconductores de diámetros >1,7 nm. El potencial de los nanotubos de carbono quedó demostrado en 2003, cuando se publicaron transistores balísticos a temperatura ambiente con contactos metálicos óhmicos y dieléctrico de alto kP, que mostraban una corriente en ON 20-30 veces superior a la de los MOSFET de Si más avanzados. Esto supuso un importante avance en este campo, ya que se demostró que los de CNT podían superar potencialmente a los de Si. Por aquel entonces, la formación de contactos metálicos óhmicos era uno de los principales retos. A este respecto, se demostró que el paladio, que es un metal con una alta función de trabajo, presentaba contactos sin barrera Schottky con nanotubos semiconductores de diámetros >1,7 nm. El primer circuito de memoria integrado de nanotubos se hizo en 2004.
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Uno de los principales retos ha sido la regulación de la conductividad de los nanotubos. Dependiendo de las sutiles características de la superficie, un nanotubo puede actuar como un conductor simple o como un semiconductor. Sin embargo, se ha desarrollado un método completamente automatizado para eliminar los tubos que no son semiconductores. En 2013, los investigadores demostraron un prototipo completo de computadora de escala micrométrica de Turing . Los transistores de nanotubos de carbono como circuitos de puerta lógica con densidades comparables a la tecnología CMOS moderna aún no se han demostrado. En 2014, se utilizaron redes de nanotubos de carbono semiconductores purificados como material activo en transistores de película delgada tipo p. Fueron creados usando impresoras 3-D usando inyección de tinta o métodos de huecograbado en sustratos flexibles, incluyendo poliimida y polietileno (PET) y sustratos transparentes como el vidrio. Estos transistores exhiben de manera confiable altas movilidades (> 10 cm2 V −1 s −1 ) y relaciones ON/OFF (> 1000), así como tensiones de umbral por debajo de 5 V. Ofrecen densidad de corriente y bajo consumo de energía, así como estabilidad ambiental y flexibilidad mecánica. Quedan por resolver la histéresis en las curvas corriente-voltaje, así como la variabilidad en el voltaje umbral. En 2015, los investigadores anunciaron una nueva forma de conectar cables a SWNT que permite seguir reduciendo el ancho de los cables sin aumentar la resistencia eléctrica.
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Se esperaba que el avance redujera el punto de contacto entre los dos materiales a solo 40 átomos de ancho y luego a menos. Los tubos se alinean en filas regularmente espaciadas sobre obleas de silicio. Las simulaciones indicaron que los diseños podrían optimizarse para un alto rendimiento o un bajo consumo de energía. No se esperaban dispositivos comerciales hasta la década de 2020.
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